索尼透露新堆栈CMOS传感器细节 新工艺制造

索尼透露新堆栈CMOS传感器细节 新工艺制造 在2021年12月时索尼公布全球首款两层晶体管像素的堆叠式CMOS图像传感器，实...

索尼透露新堆栈CMOS传感器细节 新工艺制造

在2021年12月时索尼公布全球首款两层晶体管像素的堆叠式CMOS图像传感器，实现了饱和信号水平近乎翻倍，到了近日索尼索尼半导体第二研究部门的Keiichi Nakazawa进一步解析新传感器制造细节。

按照索尼解析，两层晶体管像素的堆叠式CMOS图像传感器是把在一片衬底上的光电二极管和像素晶体管分离到不同衬底上，这样光电二极管表面积能够翻倍，能够接收到更多光线，让饱和信号水平大约增加了一倍，结果就是大幅度改善动态范围与噪声（噪点）表现。 为了把光电二极管和像素晶体管所在两片衬底连接在一起，索尼使用了新技术。按照Keiichi Nakazawa说法，因为传感器的像素非常小，光电二极管和像素晶体管对准精度达到了纳米级，因此使用了一项名为为3D顺序集成的工艺技术，会在生产过程中直接衬底连接在一起，而不是像传统那样，在生产完芯片后再连接在一起。同时索尼使用新的连接结构，让耐热性从传统400℃提升到1000℃。

按照索尼说法，两层晶体管像素的堆叠式CMOS图像传感器能够在不增加手机传感器尺寸下提升画质，不过考虑整合DRAM堆栈式CMOS传感器在手机市场尚未普及，同时手机市场越发挤牙膏，手机用上新堆栈传感器恐怕是猴年马月的事情了。