高通、英伟达芯片转单台积电，三星坐不住了，称有员工造假？
高通、英伟达芯片转单台积电，三星坐不住了，称有员工造假？ 众所周知，从5nm开始，高通就将自己的旗舰芯片订单从台积电转到了三星...
众所周知，从5nm开始，高通就将自己的旗舰芯片订单从台积电转到了三星，比如高通骁龙888、高通8Gen1都是三星代工的。
不过这两款芯片也让高通郁闷不已，一方面是这两款芯片都成为了“火龙”，功耗高，发热大，性能一般般，另外据称三星的良率很一般，导致产能不高，成本又很高。
所以最近传出高通有意将部分4nm的骁龙8Gen1转至台积电，不仅如此还有传闻3nm的芯片，高通可能会转单台积电，不再只找三星。
事实上，在高通转单前，英伟达也做了类似的事情，将原本计划给三星的订单，也转到了台积电，原因就是三星的良率较低，不能完全满足英伟达的要求。
这对三星而言，不仅仅是打击了，而是丑闻了，毕竟良率低、功耗高，发热大，谁还敢与三星合作？而三星是想要在接下来的3nm争夺战中打赢台积电，成为代是霸主的。
于是三星坐不住了，近日传出消息称，三星认为目前5nm/4nm的良率低，可能是有员工参与了伪造该公司3/4/5纳米节点的半导体制造良率信息。
三星怀疑相关人士提出了不实报告，然后将大笔用于提升良率的资金用到其它地方去了，所以导致这样的结果，所以三星对内启动了调查，看看是不是有员工在芯片代工上造假了。
当然，最后是不是真的有员工造假，尚未可知，或许三星只是在为自己的良率低找借口，找背锅侠也难讲，而三星也表示经营管理方面的自查是集团的日常事务，尚无对外界分享的具体计划，所以是真造假还是假造假，只有三星自己清楚。
事实上，在三星表示今年就要推出3nm芯片，并且会采用GAAFET晶体管技术时，很多人认为三星在3nm上，是有可能超过台积电的，毕竟GAAFET技术，比台积电3nm使用的FinFET晶体管技术，确实是先进些，功耗更低，性能更强，密度更高，但从现在这情况来看，只怕是难了……