事关国产7nm芯片，新消息正式传来
事关国产7nm芯片，新消息正式传来 就目前而言，7nm芯片可以说是先进制程芯片中，应用最为广泛的工艺。数据显示，台积电7nm工...
就目前而言，7nm芯片可以说是先进制程芯片中，应用最为广泛的工艺。数据显示，台积电7nm工艺贡献的营收最多，高达40%，一年贡献营收大约是280亿美元。
由于7nm芯片应用广泛，台积电也明确表示，2022年续建的工厂中，其中两家工厂都是为了提升7nm等芯片的产能。
当然，台积电7nm芯片贡献营收高，除了自身技术先进、产能高之外，也是因为在全球范围内，目前仅有台积电和三星能够量产7nm制程的芯片。
但如今，情况不同了，因为国内厂商在7nm芯片上已经实现了多个突破。
例如，中芯国际早就完成了7nm芯片的研发工作，按照计划已经进入试产阶段；另外，中芯国际还推出了类似台积电7nm芯片的N+1和N+2工艺。
根据中芯国际的说法，N+1和N+2工艺的芯片，其逻辑面积与台积电7nm芯片相似，前者主打低功耗，已经小规模量产，后者主打高性能。
已官宣，事关国产7nm芯片，新消息正式传来
最主要的，事关国产7nm芯片量产，目前有了最新的消息，而且还是官宣的。
都知道，生产制造7nm芯片，除了需要多层曝光工艺和DUV光刻机外，还需要光刻胶，其也是生产制造7nm芯片的必要原材料。
据悉，南大光电已经正式官宣了，其已经推出了ArF 光刻胶，主要用于生产14nm/7nm制程的芯片。
虽然目前还没有实现 ArF 光刻胶未规模量产，但在2021年实现了少数出货，今年将会积极拓展客户，早日实现量产。
也就是说，从南大光电官宣的消息可知，其已经掌握了ArF 光刻胶的生产制造技术，并实现了出货，
国产7nm芯片试产、量产已具备多个重要条件
据悉，要想生产制造7nm芯片，就需要多层曝光工艺、DUV光刻机、ArF 光刻胶以及先进的蚀刻机等。
就目前而言，国内已经具备了7nm芯片试产、量产的多个重要条件。
首先，中芯国际已经完整了7nm芯片研发任务，相当于有了7nm芯片生产制造的理论技术支撑。
另外，中芯国际已经用多层曝光工艺量产了14nm制程的芯片，并且，其在良品率上敢于同国际大厂相比较，这说明对多层曝光工艺也掌握得相当娴熟了。
其次，设备方面，中芯国际已经与ASML签订了11亿美元的光刻机采购协议，主要就是DUV光刻机，应该已经有部分DUV光刻机订单交付中芯国际了。
对于中芯国际而言，试产、量产7nm芯片的主要理论、技术以及光刻机都有了。再加上，国产5nm蚀刻机已经用在台积电5nm芯片生产线上。
也就是说，光刻机、蚀刻机以及ArF 光刻胶都有了，接下的事情可想而知。
最后，中芯国际在2018年官宣掌握了14nm芯片技术，结果次年就完成14nm芯片的试产工作，并很快进入了量产阶段。
梁孟松在2020年底宣布了7nm芯片的研发任务已经完成，接下来就会进入试产阶段，按照技术突破时间段来算，也不会远了。
更何况，ASML等已经拿到了部分许可，并向中芯国际出货了大量光刻机等半导体芯片生产制造所需要的设备和技术授权等。